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崗位職責(zé)：

1.提供半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）和氮化鎵（GaN）器件模型開發(fā)和優(yōu)化的解決方案，確保模型的準(zhǔn)確性和可靠性；
2.提供器件測(cè)試方案，包括I-V測(cè)試、連續(xù)波（CW）和脈沖S參數(shù)測(cè)試，功率測(cè)試、噪聲測(cè)試以及溫度相關(guān)的特性測(cè)試等；
3.深度參與跨部門合作，提供建模支持，提升器件良率和優(yōu)化模型精度，探索新型建模技術(shù)和方法；
4.撰寫詳細(xì)的技術(shù)文檔，記錄建模過程、測(cè)試結(jié)果、模型參數(shù)等關(guān)鍵信息；建立及優(yōu)化器件建模相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)流程。
5.完成領(lǐng)導(dǎo)安排的其他任務(wù)。

崗位要求：

1. 博士及以上學(xué)歷，電子工程、半導(dǎo)體物理、微電子學(xué)或相關(guān)專業(yè)，具備扎實(shí)的半導(dǎo)體專業(yè)理論基礎(chǔ)。

2. 有半導(dǎo)體砷化鎵和氮化鎵器件建模相關(guān)工作經(jīng)驗(yàn)，具備獨(dú)立承擔(dān)項(xiàng)目或關(guān)鍵任務(wù)的能力，能夠在復(fù)雜的工作環(huán)境中解決實(shí)際問題。

3.精通半導(dǎo)體器件物理原理，尤其是砷化鎵和氮化鎵器件，深入理解其工作機(jī)制、特性以及與工藝的關(guān)聯(lián)性。

4.熟練掌握IC-CAP、MQA、ADS、Ansys等主流的半導(dǎo)體器件建模與仿真軟件，能夠運(yùn)用這些工具進(jìn)行高效的模型開發(fā)和分析。

5.具備豐富的射頻器件測(cè)試經(jīng)驗(yàn)，熟悉各類探針臺(tái)的在片射頻器件建模參數(shù)表征方法，以及Load-Pull等射頻儀器儀表的操作和使用，能夠準(zhǔn)確獲取、分析、處理測(cè)試數(shù)據(jù)。

6.精通各種工藝器件模型建模技術(shù)，豐富的模型建模經(jīng)驗(yàn)，能從數(shù)學(xué)公式中準(zhǔn)確分析影響模型精度的根源，實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的模型建模。

7.具有良好的團(tuán)隊(duì)合作精神，較強(qiáng)的英語讀寫能力，擁有較強(qiáng)的學(xué)習(xí)能力和創(chuàng)新思維。