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崗位職責(zé)：
1. 工作地點(diǎn)：長(zhǎng)沙、嘉興或者上海；
2. 進(jìn)行IGBT，MOSFET，F(xiàn)RD等功率半導(dǎo)體器件的新產(chǎn)品研發(fā)工作，包括工藝仿真、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工藝流程制定；
3. 新產(chǎn)品開發(fā)和項(xiàng)目管理計(jì)劃的制定及實(shí)施；
4. 新產(chǎn)品、新技術(shù)的跟進(jìn)和研究。
任職要求：
1. 微電子與固體電子、半導(dǎo)體器件與物理等相關(guān)專業(yè)，具有扎實(shí)的物理基礎(chǔ)和半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)；
2. 碩士/博士學(xué)歷，或者本科學(xué)歷具有功率半導(dǎo)體器件相關(guān)工作經(jīng)驗(yàn)3年以上，熟悉IGBT，MOSFET，F(xiàn)RD等功率半導(dǎo)體器件的開發(fā)流程；
3. 具有Fab實(shí)際經(jīng)驗(yàn)和上述功率半導(dǎo)體器件的實(shí)際開發(fā)/生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先；
4. 熟悉器件仿真（TCAD Simulation）和 版圖設(shè)計(jì)（Layout Design）；
5. 具有較強(qiáng)的溝通能力、獨(dú)立思考能力及團(tuán)隊(duì)協(xié)作能力；
6. 學(xué)習(xí)能力較強(qiáng)，具有創(chuàng)新精神。