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1.工藝開發(fā)與整合：
負責或參與LTPS Array新工藝、新技術的開發(fā)、導入與優(yōu)化，致力于提升產品性能、良率及效率。
負責特定或多個關鍵制程模塊（如薄膜沉積、黃光、刻蝕、離子注入、激光退火）的工藝與整合，確保全線工藝穩(wěn)定。
2.新品導入與支持：
支持新產品的Array段導入工作，完成從設計）到實際產品輸出的工藝匹配與驗證。
制定新產品的Array段試產計劃，并負責流程跟進與數(shù)據(jù)總結，確保新產品順利量產移交。
3.良率提升與問題解決：
主導Array段各類不良（如Mura、短路、斷路、顆粒污染、電性參數(shù)漂移等）的分析與改善，運用FMEA、DOE等工具進行根本原因分析，實施有效的糾正與預防措施。
持續(xù)監(jiān)控在線工藝參數(shù)及CP/TFT電性測試數(shù)據(jù)，建立數(shù)據(jù)模型，主動識別變異并推動良率提升。
4.技術文件與標準建立：
建立、編寫和維護Array段各類工藝操作規(guī)程、標準文件及質量控制計劃。
負責新設備、新材料的評估與導入，并制定相應的工藝規(guī)格和驗收標準。
5.跨部門協(xié)作：
與研發(fā)團隊緊密合作，將新技術從實驗階段轉化為可量產的生產工藝。
與設備、質量及Cell/Module段工程師協(xié)同工作，解決涉及Array根源的綜合性技術問題。

人員要求：

1.學歷與專業(yè)：
本科及以上學歷，微電子學、半導體物理、電子科學與技術、材料科學與工程、光電等相關專業(yè)。
2.工作經驗：
具備5年以上TFT-LCD/OLED行業(yè)Array工藝相關經驗，有LTPS（低溫多晶硅）或Oxide（氧化物半導體）技術經驗者優(yōu)先。熟悉Array全制程或精通某一特定核心制程模塊者尤佳。
3.專業(yè)知識與技能：
核心知識： 深刻理解半導體物理、晶體管原理（MOSFET） 及TFT器件結構與特性。
工藝精通： 精通LTPS Array以下至少兩到三項關鍵制程：
薄膜沉積： PECVD、Sputter。黃光微影： 涂布、曝光、顯影。刻蝕技術： 干法刻蝕、濕法刻蝕。
離子注入 與 激光退火 工藝。
4.分析能力： 能夠解讀TFT的CP測試數(shù)據(jù)，并能與陣列工藝進行關聯(lián)分析。
工具使用： 熟悉SEM、EDX等，具備基本的數(shù)據(jù)分析能力。
5.能力與素質：
具備強烈的責任心、嚴謹?shù)目茖W態(tài)度和出色的邏輯分析能力。
能夠適應潔凈室工作環(huán)境，具備良好的團隊合作精神和溝通能力。
具備良好的英語閱讀能力，能夠閱讀英文技術資料。