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崗位職責(zé)：
1.負(fù)責(zé)氮化鎵相關(guān)工藝研發(fā)：外延設(shè)計、器件開發(fā)與優(yōu)化；
2.解決工藝和可靠性的關(guān)鍵技術(shù)問題；
3.跟蹤技術(shù)前沿，撰寫專利和論文，并推動技術(shù)成果轉(zhuǎn)化；
4.協(xié)助團(tuán)隊完成科研項目申報及產(chǎn)業(yè)化落地；
5.制定團(tuán)隊技術(shù)成員的培養(yǎng)計劃，負(fù)責(zé)人員培訓(xùn)；
6.完成領(lǐng)導(dǎo)安排的其他任務(wù)。
崗位要求：
1.博士及以上學(xué)歷，微電子、材料科學(xué)、半導(dǎo)體物理、化學(xué)、電子科學(xué)或半導(dǎo)體相關(guān)專業(yè)；
2.半導(dǎo)體或電子器件行業(yè)工作經(jīng)驗；有從事化合物工藝研發(fā)，掌握氮化鎵制程原理、設(shè)備、工藝等的關(guān)鍵技術(shù)優(yōu)先。
3.熟悉GaN MOCVD外延生長、光刻、刻蝕、薄膜沉積等半導(dǎo)體工藝技術(shù)。
4.精通GaN器件（包括但不限于HEMT）的制備與測試表征。
5.熟練使用TCAD、COMSOL等仿真工具進(jìn)行工藝及可靠性仿真，并熟悉材料分析設(shè)備。
6.具備扎實的數(shù)據(jù)分析和寫作匯報能力，有團(tuán)隊協(xié)作精神及良好的溝通協(xié)作能力，能獨立承擔(dān)研發(fā)任務(wù)。